新聞中心

EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 設計應用 > 什么是FRAM?

什么是FRAM?

作者:時間:2020-05-17來源:電子產品世界收藏

FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。

本文引用地址:http://www.954562.live/article/202005/413194.htm

關于鐵電質

下面的圖表解釋了PZT晶體結構,這種結構通常用作典型的鐵電質材料。在點陣中具有鋯和鈦,作為兩個穩定點。它們可以根據外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設定,即使在出現電場,它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么,電容器劃分了底部電極電壓和極化,超越了磁滯回線。數據以“1”或“0”的形式存儲。

PZT晶體結構和FRAM工作原理

FRAM Cell

Crystal structure of PZT(FER) pzt-2_cgi-bin_document_document_search 

Hysteresis Loop of PZTpzt-3_cgi-bin_document_document_search

1、 當加置電場時就會產生極化。(鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動)

2、 即使在不加置電場的情況下,也能保持電極。

3、 兩個穩定的狀態以“0”或“1”的形式存儲。

存儲器分類中的FRAM

FRAM in Memory Classificationcategory_cgi-bin_document_document_search

* 非易失性:即使沒有上電,也可以保存所存儲的信息。

優勢

與傳統存儲器相比,FRAM具有下列優勢:

非易失性

●   即使沒有上電,也可以保存所存儲的信息。

●   與SRAM相比,無需后備電池(環保產品)

更高速度寫入

●   像SRAM一樣,可覆蓋寫入

●   不要求改寫命令

●   對于擦/寫操作,無等待時間

●   寫入循環時間 =讀取循環時間

●   寫入時間:E2PROM的1/30,000

具有更高的讀寫耐久性

●   確保最大1012次循環(100萬億循環)/位的耐久力

●   耐久性:超過100萬次的 E2PROM

具有更低的功耗

●   不要求采用充電泵電路 

●   功耗:低于1/400的E2PROM

表1. FRAM和其它器件間規格差異的比較表

表1. 與其它存儲器產品相比,FRAM的特性


FRAM
E2PROM
Flash
SRAM

存儲器

類別

非易失性
易失性
晶胞結構*1
1T1C/2T2C
2T
1T
6T

數據

改寫方法

覆蓋寫入
擦除+寫入
扇面擦除+ 寫入
覆蓋寫入

寫入

循環時間

150ns*2
5ms
10μs
55ns
耐久力

最大 1012

(1萬億次循環*3*2

106

(100萬次循環)

105

(10萬次循環)

無限制

寫入

操作電流

5mA(典型值)*2 
15mA(最大值)*2

5mA

(最大值)

20mA

(最大值)

8mA

(典型值) 

-

待機電流
5μA(典型值)*2 
50μA(最大值)*2

2μA

(最大值)

100μA

(最大值)

0.7μA(典型值) 
3μA(最大值)

*1) T=晶體管. C=電容器 

*2) 256Kb獨立的FRAM存儲器的技術規格 

*3) 讀寫操作的總循環

富士通FRAM集成型產品


●   獨立存儲器(I2C/SPI/并行接口產品)

富士通半導體提供了獨立的存儲器,它具有FRAM的優勢,包括非易失性、高速讀寫、低功耗和更高的讀寫耐久性。你可以將其用于各種應用,如移動裝置,OA設備,數字電器和銀行終端等。

FRAM application productuses_cgi-bin_document_document_search

●   獨立存儲器(I2C/SPI/并行接口產品)

●   適用于RFID的LSI

●   驗證 IC

●   應用

●   定制 LSI

●   技術支持



關鍵詞: RRAM

評論


技術專區

關閉
单机四人麻将 天津快乐十分遗漏数据 向上360理财平台 秒速快三精准预测 贵州快3开奖官网 甘肃11选5 360 福彩3d澳客网杀号定胆 河北快3 模拟炒股app 五分赛车的走势规律 pk10冠亚和对刷教程