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富士通推出業界最高密度4 Mbit ReRAM量產產品

作者:時間:2020-05-15來源:電子產品世界收藏

富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出業界最高密度4 Mbit (可變電阻式存儲器)產品MB85AS4MT。此產品為富士通與松下電器開發的首款存儲器產品。

本文引用地址:http://www.954562.live/article/202005/413167.htm

是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器,此產品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身,同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術,未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20,數據擦寫上限是后者的10倍。

MB85AS4MT是具備SPI接口的ReRAM產品,能在1.65至3.6伏特電壓下工作,并可于最高頻率5MHz下進行讀寫操作,而僅需0.2mA的平均電流。

此全新產品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫療設備,例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設備上有絕佳的表現。

截至目前為止,富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM(鐵電隨機存儲器),以滿足客戶對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線后,富士通可進一步擴充產品系列,以滿足客戶多樣化的需求。

MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內工作,還能通過SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率,并在讀取時僅需極低的工作電流(5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA)。此外,該產品擁有業界非易失性內存最低的讀取功耗。

此全新產品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package),引腳與EEPROM等非易失性內存產品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM,超越了串行接口EEPROM的最高密度。

富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設備、助聽器等醫療設備,以及量表與傳感器等物聯網設備。

富士通預期未來持續提供各種產品與解決方案,以協助客戶提升其應用的價值與便利性。

產品規格

組件料號:MB85AS4MT

內存密度(組態):4 Mbit(512K字符x 8位) 

界面:SPI(Serial peripheral interface) 

工作電壓:1.65 – 3.6V 

低功耗:讀入工作電流0.2mA(于5MHz) 

寫入工作電流1.3mA(寫入周期間) 

待機電流10μA 

休眠電流2μA 

保證寫入周期:120萬次 

保證讀取周期:無限 

寫入周期(256 位/頁):16毫秒(100%數據倒置) 

數據保留:10年(最高攝氏85度) 

封裝:209mil 8-pin SOP



關鍵詞: 合作 ReRAM 半導體

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